本儀(yí)器(qì)熱探筆(bǐ)內(nèi)裝有(yǒu)加(jiā)熱和(hé)控溫(wēn)組件(jiàn)，自動(dòng)加(jiā)熱(rè)並使溫度維(wéi)持在40-60℃範圍內，冷(lěng)熱探筆在半導體(tǐ)材料上(shàng)產(chǎn)生的(dí)熱電動(dòng)勢(shì)，經(jīng)低噪聲，低漂移的(dí)集(jí)成(chéng)運(yùn)算放大(dà)器放(fàng)大後，用寬(kuān)表麵檢(jiǎn)計示(shì)型(xíng)號(hào)方(fāng)向，並(bìng)可定量測出熱(rè)電的(dí)數值大(dà)小。儀器靈敏度可(kě)調，可(kě)在廣泛的(dí)電(diàn)阻率(shuài)（從(cóng)1000Ω·cm阻單晶(jīng)到10^-4Ω·cm重(zhòng)摻單(dān)晶(jīng)）範(fàn)圍內判(pàn)別半導體材料型號。

 

1，可(kě)判(pàn)別鍺，矽(guī)材料的電(diàn)阻(zǔ)率範(fàn)圍(wéi)：

   鍺(zhě)：非本征鍺～10^-4Ω·cm

   矽：10⁴～10^-4Ω·cm

   實(shí)驗證明(míng)：在室溫(wēn)情況下，對於電阻(zǔ)率(shuài)低(dī)於(yú)1000Ω·cm的(dí)N型和P型矽，本(běn)方法結果可靠。

2，熱電測(cè)量(liáng)範圍：0～±1μA   分六個(gè)量程(chéng)：

±3nA，±10nA，±30nA，±100nA，±300nA，±1μA

zui大(dà)偏(piān)轉(zhuǎn)靈(líng)敏(mǐn)度(dù)：1×10^-11A/格

3，鍺，矽單晶直徑(jìng)及(jí)長度(dù)：不(bù)受限製。

4，顯示方式：中心刻(kè)度為(wéi)零位的(dí)寬表(biǎo)麵(miàn)針(zhēn)示(shì)器，針向(xiàng)正(zhèng)方(fāng)向偏轉被測(cè)樣品(pǐn)為P型(xíng)，針向負(fù)方向(xiàng)偏轉被測樣(yàng)品為(wéi)N型(xíng)。

5，探針：選(xuǎn)用ASTM F42標準中建(jiàn)議的不(bù)鏽鋼作探(tàn)針材料(liào)，針(zhēn)尖(jiān)為60°錐(zhuī)體(tǐ)，熱筆溫(wēn)度(dù)自(zì)動保(bǎo)持(chí)在40-60℃範圍(wéi)內(nèi)。冷(lěng)筆與室溫相同。

6，電源(yuán)及耗(hào)：AC 220V±10%，50HZ交供(gōng)電，耗(hào)電小於(yú)10W。

7，外型尺(chǐ)寸(cùn)：170×160×230（mm）

8，重量：約(yuē)2.5kg