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儀器預設標(biāo)準(zhǔn)A光源及D65光源文件(jiàn)，並可(kě)根據用(yòng)戶(hù)需求，由用(yòng)戶意(yì)設定(dìng)存(cún)儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)光源。儀器(qì)可(kě)根據不同(tóng)參考光(guāng)源自(zì)動修(xiū)正探測器的(dí)光譜參數誤差(chà)，達到屏(píng)幕的(dí)亮度(dù)，屏(píng)幕的(dí)亮(liàng)度不(bù)均匀性，色品坐標(biāo)和色溫的(dí)測量(liáng)。其測量度(dù)達(dá)到際水平。
LED光強(qiáng)分布測試儀(yí)用(yòng)於LED發(fā)光強度曲綫分(fēn)布測量。可(kě)為LED提(tí)供各種電參(cān)數(shù)，該儀(yí)器具有(yǒu)計算(suàn)機控(kòng)製電調節(jié)，可(kě)自(zì)動快(kuài)速測(cè)量等點。
GSZ-CV-2000型電容(róng)電(diàn)壓(yā)性測(cè)試(shì)儀是測試頻(pín)率為1MHz的智(zhì)能化(huà)數(shù)字的電容測(cè)試儀器(qì)，用(yòng)於測試(shì)半導體器件PN結的(dí)勢壘電(diàn)容在不(bù)同(tóng)偏(piān)壓(yā)下的電容(róng)量，也可測(cè)試其(qí)它電(diàn)容。
該(gāi)儀器按照單晶矽(guī)物理測(cè)試方法(fǎ)家標準(zhǔn)並參(cān)考(kǎo)美(měi) A.S.T.M 標(biāo)準而的(dí)，用(yòng)於測試(shì)半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料(liào)縱(zòng)向(xiàng)電阻率的用(yòng)儀器。 儀器(qì)由主機(jī)，測試台(tái)，二(èr)探針探頭(tóu)，計算(suàn)機等分組(zǔ)成，測量(liáng)數(shù)據既可(kě)由主機(jī)直(zhí)接(jiē)顯(xiǎn)示(shì)，亦(yì)可由計(jì)算(suàn)機(jī)控(kòng)製測試采(cǎi)集(jí)測(cè)試數據到計算機中(zhōng)加以分(fēn)析，然(rán)後(hòu)以(yǐ)表(biǎo)格(gé)，圖(tú)形方(fāng)式統計分析顯示(shì)測試(shì)結(jié)果。
方型(xíng)四(sì)探針(zhēn)探(tàn)頭是種門測量(liáng)半(bàn)導體薄(báo)層電阻(zǔ)(麵電(diàn)阻(zǔ))的(dí)方塊電(diàn)阻測試儀(yí)配用的方(fāng)型四(sì)探針測(cè)試探(tàn)頭，用於測量小(xiǎo)樣品的(dí)四(sì)探針探頭(tóu)，可用(yòng)於(yú)般半導體(tǐ)材(cái)料，導電薄(báo)膜(ITO透(tòu)明氧(yǎng)化(huà)膜(mó))，金(jīn)屬薄(báo)膜(mó)……等(děng)物(wù)質(zhì)的(dí)薄(báo)層電阻。
方塊電阻測試(shì)儀(yí)是(shì)手持式方(fāng)塊電(diàn)阻(zǔ)測試(shì)儀(yí),門(mén)測(cè)量半導體薄層(céng)電(diàn)阻(zǔ)(麵(miàn)電阻)的(dí)新型儀器可(kě)用於(yú)測(cè)量(liáng)般半導體材(cái)料，導(dǎo)電薄(báo)膜(ITO透明(míng)氧化(huà)膜(mó))……等(děng)物質(zhì)的薄層(céng)電阻。
當(dāng)前位(wèi)置：