雙(shuāng)電(diàn)測數(shù)字式四探(tàn)針(zhēn)測(cè)試儀/雙(shuāng)電測四(sì)探(tàn)針檢測(cè)儀 型號:HAD-2263

概(gài)述(shù)

HAD-2263型是運用直綫(xiàn)或方形四探針雙位測(cè)-改形(xíng)範德堡測量方法測試電(diàn)阻(zǔ)率(shuài)/方(fāng)阻的多用(yòng)途綜(zōng)合測量儀(yí)器(qì)。該(gāi)儀(yí)器(qì)符合(hé)單晶矽(guī)物(wù)理測試方法家(jiā)標準(zhǔn)並(bìng)參考美 A.S.T.M 標(biāo)準。利用電(diàn)探針(zhēn)，電壓探針的變換
，行兩次電測(cè)量
，對(duì)數據(jù)行雙電測(cè)分(fēn)析(xī)
，自動消除(chú)樣品幾何(hé)尺寸，邊界效應(yīng)以及(jí)探針不等距和(hé)機(jī)械遊(yóu)移等因素(sù)對(duì)測(cè)量(liáng)結(jié)果(guǒ)的(dí)影(yǐng)響(xiǎng)
，它與單電(diàn)測直綫(xiàn)或(huò)方(fāng)形四探針相比
，大大(dà)提度
，別是適(shì)用於斜置(zhì)式(shì)四探針對(duì)於微(wēi)區的(dí)測試(shì)。
儀器(qì)成套組成：由(yóu)主(zhǔ)機，選配的四探針(zhēn)探(tàn)頭(tóu)，測試(shì)台以(yǐ)及PC軟(ruǎn)件等分(fēn)組成。
主(zhǔ)機主要由(yóu)恒源，分辨率(shuài)ADC，嵌入(rù)式(shì)單(dān)片(piàn)機係統(tǒng)組(zǔ)成
，USB通訊(xùn)接口(kǒu)。儀器(qì)主(zhǔ)機所有(yǒu)參(cān)數(shù)設定(dìng)，能轉換采用(yòng)數字(zì)化鍵盤和(hé)數(shù)碼開關(guān)輸入(rù)；具有零(líng)位(wèi)，滿(mǎn)度自(zì)校能(néng)；測(cè)試能(néng)可自動/手(shǒu)動方式(shì)；儀器(qì)操作可(kě)由配套軟件(jiàn)在(zài)PC機上操(cāo)作(zuò)成(chéng)
，也(yě)可(kě)脫PC機(jī)由(yóu)四探針(zhēn)儀(yí)器麵(miàn)板上(shàng)立(lì)操作(zuò)成。測試結(jié)果數據(jù)由主機數(shù)碼管(guǎn)直接(jiē)顯(xiǎn)示(shì)
，也可連機(jī)由(yóu)軟(ruǎn)件界麵(miàn)同步顯(xiǎn)示，分析，保存和(hé)打印！
探頭(tóu)選配(pèi)：根據(jù)不同(tóng)材料(liào)性(xìng)需要
，探頭(tóu)可有(yǒu)多款選(xuǎn)配。有耐磨碳(tàn)化鎢(wū)探針(zhēn)探頭
，以(yǐ)測試矽類(lèi)半導(dǎo)體，金屬，導電(diàn)塑料類等(děng)硬(yìng)質(zhì)材料的電(diàn)阻(zǔ)率/方阻；也(yě)有(yǒu)形(xíng)鍍金(jīn)銅合(hé)金探(tàn)針(zhēn)探頭
，可(kě)測(cè)柔性(xìng)材料(liào)導(dǎo)電薄膜，金屬(shǔ)塗(tú)層(céng)或薄(báo)膜，陶瓷或(huò)玻(bō)璃等(děng)基(jī)底上導(dǎo)電(diàn)膜（ITO膜）或納(nà)米塗層等(děng)半導體(tǐ)材(cái)料的(dí)電阻(zǔ)率/方阻。換上(shàng)四端(duān)子(zǐ)測試夾(jiā)具(jù)
，還可對電(diàn)阻器體(tǐ)電阻(zǔ)，金屬導(dǎo)體的(dí)低(dī)，中值(zhí)電阻以及開關(guān)類接觸電阻(zǔ)行(háng)測量。
測試台選(xuǎn)配(pèi)：般四探(tàn)針法(fǎ)測試(shì)電阻(zǔ)率/方(fāng)阻配HAD-A或HAD-B或(huò)HAD-C或(huò)HAD-F型測試台(tái)。
詳(xiáng)見《四探針(zhēn)儀(yí)器(qì)，探(tàn)頭(tóu)和測試台(tái)的(dí)點與(yǔ)選型參(cān)考(kǎo)》
儀器具有(yǒu)測量度，靈(líng)敏度，穩(wěn)定性(xìng)好(hǎo)，智能(néng)化(huà)程(chéng)度，測(cè)量(liáng)簡便，結構(gòu)緊湊，使用方便(biàn)等(děng)點。
儀器適(shì)用於(yú)半導(dǎo)體材(cái)料(liào)廠器(qì)件(jiàn)廠，科研單位，等(děng)院校(xiào)對(duì)導體，半導體(tǐ)，類(lèi)半導體材料的導電性能(néng)的測試(shì)
，別(bié)是適(shì)用(yòng)於斜置(zhì)式(shì)四探(tàn)針(zhēn)對於微區(qū)的(dí)測試。
三(sān)，雙電測數字(zì)式(shì)四探針(zhēn)測(cè)試儀(yí)基本參(cān)數
3.1  測(cè)量範圍
電阻(zǔ)率(shuài)：1×10-4～2×105 Ω-cm
，分辨率(shuài)：1×10-5～1×102 Ω-cm
方  阻：5×10-4～1×106 Ω/□
，分辨(biàn)率(shuài)：5×10-5～1×102 Ω/□
電(diàn)  阻：1×10-5～2×105 Ω   
，分(fēn)辨(biàn)率(shuài)：1×10-6～1×102 Ω
3.2  材料尺寸(cùn)(由選(xuǎn)配(pèi)測試台(tái)決定和測試方(fāng)式(shì)決(jué)定(dìng))
直(zhí)    徑：HAD-A圓測試(shì)台直接測(cè)試(shì)方式 Φ15～130mm
，手(shǒu)持方式不(bù)限
HAD-B/C/F方(fāng)測(cè)試(shì)台直接測試(shì)方式180mm×180mm
，手持(chí)方(fāng)式不(bù)限.
長(cháng)()度：測(cè)試(shì)台(tái)直接測試方式(shì) H≤100mm,    手(shǒu)持(chí)方式(shì)不限(xiàn).
測(cè)量(liáng)方位(wèi): 軸向，徑(jìng)向(xiàng)均(jūn)可

量(liáng)程(chéng)劃(huá)分及(jí)誤(wù)差(chà)等

四探針(zhēn)探(tàn)頭（選(xuǎn)配(pèi)其或(huò)加(jiā)配）
(1)碳化鎢探針：Φ0.5mm
，直(zhí)綫探(tàn)針間距1.0mm
，探針壓力: 0～2kg 可(kě)調
(2)薄膜方阻探(tàn)針：Φ0.7mm
，直(zhí)綫(xiàn)或方形(xíng)探(tàn)針(zhēn)間距(jù)2.0mm
，探針(zhēn)壓力: 0～0.6kg 可(kě)調
3.6 電源
輸入(rù): AC 220V±10% ,50Hz   耗：<20W
3.7 外(wài)形尺(chǐ)寸：
主機  220mm（長）×245 mm（寬）×100mm（）