半導體電(diàn)阻(zǔ)率測(cè)試(shì)儀(yí)/電(diàn)阻率(shuài)測試(shì)儀/半導(dǎo)體電阻率(shuài)測(cè)定儀（含(hán)探頭(tóu)和測試架）　型號(hào)：HHY8-BD-86A

HHY8-BD-86A型半導體(tǐ)電阻率(shuài)測試儀(yí)是我(wǒ)廠(chǎng)推(tuī)出的(dí)的(dí)普及型半導(dǎo)體電阻率測試(shì)儀器，本(běn)儀(yí)器(qì)是(shì)根據四探針原(yuán)理，適合半導體(tǐ)器材廠，材(cái)料廠(chǎng)用(yòng)於(yú)測量半(bàn)導(dǎo)體材料(liào)（片(piàn)狀(zhuàng)，棒狀）的體(tǐ)電阻率(shuài)，方塊電(diàn)阻（簿層電阻(zǔ)），也可以(yǐ)用作(zuò)測量(liáng)金屬薄(báo)層電(diàn)阻，經(jīng)過(guò)對(duì)用戶(hù)，半(bàn)導(dǎo)體廠(chǎng)測(cè)試的調(tiáo)查，根據美ASTM標準(zhǔn)的規(guī)定(dìng)，在(zài)電(diàn)路(lù)和(hé)探頭(tóu)方(fāng)麵(miàn)作了重大(dà)的(dí)修(xiū)改和上的(dí)許多突破，它(tā)更適合(hé)於半導(dǎo)體器材(cái)廠檢測方麵(miàn)對中(zhōng)值(zhí)，阻矽(guī)，鍺(zhě)材料(liào)方塊(kuài)電阻(zǔ)和體電阻率的(dí)測量需要(yào)，成為普及型(xíng)的(dí)電阻(zǔ)率測(cè)試(shì)儀，具有測(cè)量度，穩定(dìng)性好，輸入(rù)阻抗，使用方便(biàn)，價格低(dī)廉(lián)等(děng)點。

   儀器主要標(biāo)：

1．  測量範(fàn)圍(wéi)：電阻率10^-3—10³Ω-cm，分辯(biàn)率(shuài)為 10^-4Ω-cm ，可擴(kuò)展到(dào)10⁵Ω-cm

  方塊電(diàn)阻10^-2—10⁴Ω/□，分辯率為10^-3Ω/□，可擴(kuò)展(zhǎn)到(dào)10⁶Ω/□

薄層金屬電(diàn)阻(zǔ)10^-4—10⁵Ω，分辯率為10^-4Ω

2.可測半(bàn)導體材料尺(chǐ)寸：直徑(jìng)Φ15—Φ125mm；  長(cháng)度(dù)：150mm（可(kě)擴展(zhǎn)500mm）

     3.測量(liáng)方(fāng)式：軸(zhóu)向，斷麵(miàn)均可

4．數(shù)字電(diàn)壓表(biǎo)：（1）量(liáng)程：20mV（分辯(biàn)率：10μV），200mV，2V

             （2）測(cè)量誤差：±0.3%讀數(shù)±1字

             （3）輸入(rù)阻抗(kàng)：大於10⁸Ω

             （4）顯示(shì)3 1/2 位(wèi)紅色發光(guāng)二(èr)管（LED）數(shù)字顯示

                  0---1999具(jù)有性(xìng)，過載，小(xiǎo)數(shù)點，單(dān)位自(zì)動(dòng)顯(xiǎn)示(shì)

5．恒(héng)源(yuán)：由交(jiāo)供電，具(jù)有良(liáng)好的防泄(xiè)漏隔(gé)離(lí)能

（1）       直電：0—100mA連續可調

（2）       量(liáng)程：10μA，100μA，1mA，10mA，100mA

（3）       分辯(biàn)率：10nA，0.1μA，1μA，10μA，0.1mA

（4）       電誤(wù)差：±0.3%讀數±2字

6．電(diàn)性能(néng)模擬(nǐ)考核誤(wù)差：<±0.3%符(fú)合(hé)ASTM標

7．測試探(tàn)頭(tóu)：（1）探(tàn)針(zhēn)機械(xiè)遊移率：± 0.3% 符(fú)合ASTM 標

8．電(diàn)源(yuán)：交220V±10%   50HZ或60HZ  率消(xiāo)耗< 30W

9．電氣箱外(wài)形尺(chǐ)寸(cùn)：119×440×320mm

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