描述(shù)

JDC-4靜(jìng)電場描(miáo)繪實驗儀
1，導電層均匀(yún)性相(xiāng)對誤差(chà)＜3%。
2，電(diàn)與鍍(dù)膜(mó)層接(jiē)觸電阻(zǔ)＜0.1Ω。
3，鍍(dù)層與電(diàn)的阻(zǔ)值比＞104.
4，測量點與描(miáo)繪(huì)點(diǎn)之(zhī)間誤差(chà)＜1mm.
5，實(shí)驗值與理論值的(dí)相(xiāng)對誤差＜5%。
6，鍍層(céng)的強度，經smc-1型強(qiáng)度(dù)試(shì)驗(yàn)儀(yí)，經(jīng)過次(cì)磨(mó)擦試驗(yàn)，鍍(dù)膜好無損。
7，電(diàn)源(yuán)輸(shū)出(chū)2v—10v連(lián)續可調(tiáo)。
8，電源的內(nèi)阻＜0.1Ω。
9，電(diàn)源調(tiáo)整率(shuài)優於0.5%。
10，三位(wèi)半(bàn)液(yè)晶(jīng)顯示。

描(miáo)述(shù)

JDC-4靜電場描(miáo)繪實(shí)驗儀(yí)
1，導(dǎo)電層均(jūn)匀性(xìng)相(xiāng)對誤(wù)差＜3%。
2，電(diàn)與鍍膜層接(jiē)觸(chù)電(diàn)阻＜0.1Ω。
3，鍍層(céng)與(yǔ)電(diàn)的阻(zǔ)值(zhí)比(bǐ)＞104.
4，測(cè)量點與描繪點(diǎn)之間誤差(chà)＜1mm.
5，實驗(yàn)值(zhí)與理(lǐ)論值的(dí)相(xiāng)對誤差(chà)＜5%。
6，鍍(dù)層(céng)的強度，經smc-1型強度試驗(yàn)儀，經過(guò)次磨(mó)擦(cā)試(shì)驗，鍍(dù)膜好無損(sǔn)。
7，電(diàn)源輸(shū)出(chū)2v—10v連(lián)續可調。
8，電(diàn)源的內(nèi)阻(zǔ)＜0.1Ω。
9，電源(yuán)調整(zhěng)率優(yōu)於0.5%。
10，三(sān)位(wèi)半(bàn)液晶(jīng)顯(xiǎn)示(shì)。

描(miáo)述(shù)

JDC-4
1，導電(diàn)層均匀性相(xiāng)對誤差＜3%。
2，電與(yǔ)鍍膜(mó)層接(jiē)觸電阻＜0.1Ω。
3，鍍(dù)層與(yǔ)電(diàn)的阻(zǔ)值(zhí)比(bǐ)＞104.
4，測量點(diǎn)與描(miáo)繪(huì)點(diǎn)之(zhī)間誤差＜1mm.
5，實(shí)驗(yàn)值與理(lǐ)論值的相(xiāng)對誤(wù)差＜5%。
6，鍍(dù)層的強(qiáng)度(dù)，經(jīng)smc-1型強度(dù)試驗儀，經(jīng)過(guò)次磨擦試(shì)驗(yàn)，鍍膜好無(wú)損(sǔn)。
7，電源(yuán)輸(shū)出2v—10v連(lián)續可調(tiáo)。
8，電(diàn)源(yuán)的內阻(zǔ)＜0.1Ω。
9，電源調整(zhěng)率優(yōu)於(yú)0.5%。
10，三(sān)位(wèi)半(bàn)液(yè)晶顯(xiǎn)示。