電化(huà)學作(zuò)站(zhàn)/腐(fǔ)蝕測量儀 型號:DP-CS150
DP-CS電化學作站采用浮(fú)地(dì)式(shì)，具(jù)有(yǒu)出色的(dí)穩(wěn)定性和(hé)度(dù)，的(dí)硬件(jiàn)和能善的軟件(jiàn)，為涉及(jí)能源(yuán)，材料(liào)，生命，環保等域的(dí)科作者(zhě)提供了(liǎo)的(dí)科研平台。
具體應(yīng)用(yòng)於：
（1） 電(diàn)合成，電(diàn)沉(chén)積(jī)（電(diàn)鍍），陽氧化(huà)，電(diàn)解(jiě)等(děng)反(fǎn)應(yīng)機理研(yán)究；
（2）電化(huà)學(xué)分析(xī)研究；
（3）能源(yuán)材(cái)料（鋰離(lí)子電(diàn)池(chí)，太陽能電池(chí)，燃(rán)料動力電池和(hé)電(diàn)容器等），能材料(liào)以及(jí)傳感器的性(xìng)能(néng)研究(jiū)；
（4）金(jīn)屬(shǔ)材(cái)料的(dí)腐(fǔ)蝕(shí)行為(wéi)研(yán)究與耐蝕(shí)性(xìng)評價；
（5）緩蝕(shí)劑(jì)，水質穩定(dìng)劑，塗(tú)層(céng)以及陰保護(hù)效率(shuài)的快速(sù)評(píng)價(jià)。
硬件(jiàn)點(diǎn)
● 雙(shuāng)通(tōng)道(dào)相關(guān)分(fēn)析(xī)器(qì)和雙(shuāng)通(tōng)道速(sù)16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換(huàn)器
● 內置FRA頻(pín)響(xiǎng)分析儀(yí)，頻(pín)率範圍 10μHz ~1MHz
● 帶寬輸入阻抗的(dí)放大器(qì)
● 內(nèi)置(zhì)FPGA DDS信(xìn)號合成(chéng)器
● 率恒電位(wèi)儀(yí)/恒(héng)電(diàn)儀(yí)/零電阻電計(jì)
● 電(diàn)壓(yā)控製範圍：±10V，槽壓(yā)為±21V（可(kě)擴(kuò)展(zhǎn)至(zhì)±200V）
● 電控製範(fàn)圍：±2.0A（可擴展至(zhì)±5.0A）
● 電位分(fēn)辨率(shuài)：10μV，電分(fēn)辨(biàn)率：10pA（可延伸(shēn)至(zhì)100fA）
軟(ruǎn)件點
① 數(shù)據分析(xī)
伏安曲綫的平滑，積分和(hé)微分運算，計算(suàn)各氧化還原峰的峰(fēng)，峰(fēng)麵積和峰(fēng)電位(wèi)等(děng)；
化曲綫(xiàn)的三(sān)參(cān)數(shù)或四(sì)參數(shù)動(dòng)力學解(jiě)析，計(jì)算Tafel斜率(shuài)ba，bc，腐蝕電(diàn)密度icorr，限擴(kuò)散電(diàn)，化電(diàn)阻Rp和腐(fǔ)蝕速率等，還可(kě)由(yóu)電化學噪聲譜計(jì)算(suàn)率譜密(mì)度，噪聲(shēng)電阻Rn和(hé)譜噪聲(shēng)電阻(zǔ)Rsn(f)。
② 實(shí)時(shí)存(cún)儲(chǔ)
實時存(cún)儲測量(liáng)數(shù)據，即使(shǐ)因斷(duàn)電(diàn)導(dǎo)致(zhì)測(cè)試中(zhōng)斷，中斷之(zhī)前(qián)的(dí)數據也會自(zì)動保(bǎo)存。
③ 定(dìng)時(shí)測(cè)量(liáng)
測(cè)試軟(ruǎn)件具有(yǒu)定時(shí)測(cè)量(liáng)能， 對(duì)於某些需(xū)要(yào)研究(jiū)體係隨時(shí)間變化征(zhēng)時，可提(tí)前設好(hǎo)測(cè)試(shì)參(cān)數與(yǔ)間隔時(shí)間，讓(ràng)儀器(qì)在(zài)無(wú)人值(zhí)守下自(zì)動(dòng)定時測(cè)量(liáng)，提(tí)實驗(yàn)效(xiào)率。
恒電(diàn)位控製(zhì)範圍(wéi)：±10V | 恒電(diàn)控製範圍：±2.0A |
電位(wèi)控(kòng)製度：0.1%×滿量(liáng)程(chéng)讀(dú)數±1mV | 電控製(zhì)度(dù)：0.1%×滿量程(chéng)讀(dú)數 |
電位靈(líng)敏度(dù)：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) | 電靈敏度(dù)：<10pA |
電位(wèi)上升(shēng)時間(jiān)：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) | 電(diàn)量程：2A～200nA, 共8檔 |
參比電輸入(rù)阻抗：1012Ω||20pF | zui大(dà)輸出(chū)電：2.0A |
槽壓輸(shū)出(chū)：±21V | 電(diàn)掃描(miáo)增(zēng)量：1mA @1A/mS |
CV和(hé)LSV掃描(miáo)速度(dù)：0.01mV～10000V/s | 電(diàn)位(wèi)掃(sǎo)描(miáo)電位增量：0.076mV @1V/mS |
CA和(hé)CC脈衝(chōng)寬(kuān)度(dù)：0.0001～65000s | DPV和(hé)NPV脈衝(chōng)寬度(dù)：0.0001～1000s |
SWV頻率：0.001～100KHz | CV的(dí)zui小(xiǎo)電(diàn)位增量：0.075mV |
AD數據采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz | 電與電位量程：自(zì)動(dòng)設置 |
DA分辨(biàn)率：16bit，建立(lì)時(shí)間：1μS | 低通濾波器(qì) ：8段(duàn)可(kě)編程(chéng) |
通(tōng)訊(xùn)接(jiē)口(kǒu)：USB2.0 | 儀器(qì)重量：6.5Kg |
外(wài)形(xíng)尺(chǐ)寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
信號發生器 | |
頻率(shuài)響應(yīng)：10μHz～115KHz | 交(jiāo)信號幅值：1mV～2500mV |
頻(pín)率(shuài)度：0.005% | 直偏壓(yā)：-10V～+10V |
DDS輸(shū)出阻(zǔ)抗：50Ω | 波形(xíng)：正(zhèng)弦波(bō)，三角波，方波(bō) |
正弦波失真(zhēn)率：<1% | 掃描(miáo)方式：對數/綫性(xìng)，增加(jiā)/下降 |
信(xìn)號(hào)分(fēn)析(xī)器 | |
zui大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者(zhě)105S | 測(cè)量時間延(yán)遲(chí)：0～105秒(miǎo) |
zui小積分(fēn)時間(jiān)：10mS 或(huò)者個(gè)循環(huán)的(dí)zui長(cháng)時間 | |
直偏置補償(cháng) | |
電位補(bǔ)償範(fàn)圍：-10V～+10V | 電補償(cháng)範圍：-1A～+1A |
帶寬(kuān)調(tiáo)整：自動(dòng)或手(shǒu)動(dòng)設(shè)置, 共(gòng)8可調 | |
能方法(fǎ) | DP-CS120 | DP-CS150 | DP-CS300 | DP-CS310 | DP-CS350 | DP-CS360 | |
穩(wěn)態(tài)化 | 開路(lù)電(diàn)位測(cè)量(liáng)（OCP） | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
恒電(diàn)位(wèi)化（i-t曲(qū)綫(xiàn)） | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
恒電化 |
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動(dòng)電位(wèi)掃描（TAFEL曲(qū)綫） | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
動電(diàn)掃(sǎo)描（DGP） |
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暫態化(huà) | 意恒(héng)電位(wèi)階梯波 | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
意(yì)恒電階(jiē)梯波(bō) |
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恒電位(wèi)階躍（VSTEP） | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
恒電階躍（ISTEP） |
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快(kuài)速(sù)電(diàn)位(wèi)脈衝 |
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快(kuài)速電(diàn)脈衝 |
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計時分(fēn)析(xī) | 計(jì)時電位法（CP） |
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計(jì)時(shí)電法(fǎ)（CA） |
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計時(shí)電量法（CC） |
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伏(fú)安(ān)分析 | 綫(xiàn)性(xìng)掃描伏(fú)安法(fǎ)（LSV） | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
綫性循(xún)環(huán)伏安(ān)法（CV） | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
階(jiē)梯循環(huán)伏安(ān)法(fǎ)（SCV） |
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方(fāng)波(bō)伏安法（SWV） |
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差分脈衝(chōng)伏安法（DPV） |
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常規(guī)脈衝(chōng)伏安法(fǎ)（NPV） |
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常規(guī)差(chà)分(fēn)脈(mài)衝伏(fú)安(ān)法(fǎ)（DNPV） |
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交伏安法(fǎ)（ACV） |
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二(èr)次諧(xié)波交(jiāo)伏安(ān)（SHACV） |
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溶出伏安 | 恒電(diàn)位溶出(chū)伏安(ān) |
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綫(xiàn)性(xìng)溶出(chū)伏安(ān) |
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階(jiē)梯溶出(chū)伏(fú)安 |
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方波溶出伏安 |
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交(jiāo)阻(zǔ)抗(kàng) | 電(diàn)化學(xué)阻抗（EIS）～頻(pín)率(shuài)掃(sǎo)描 |
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電化學(xué)阻抗(kàng)（EIS）～時間(jiān)掃(sǎo)描 |
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電(diàn)化學阻抗（EIS）～電(diàn)位掃描（Mott-Schottky曲綫(xiàn)） |
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腐(fǔ)蝕測量 | 循環(huán)化(huà)曲綫(xiàn)（CPP） | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
綫(xiàn)性(xìng)化曲(qū)綫（LPR） | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
電化(huà)學噪聲（EN） | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
電(diàn)偶(ǒu)腐蝕測量(liáng)（ZRA） | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
氫擴散(sàn)測(cè)試（HDT）* | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
電池測量 | 電(diàn)池(chí)充放(fàng)電(diàn)測(cè)試 |
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恒(héng)電充放電(diàn) |
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光電(diàn)測量(liáng) | 電(diàn)致(zhì)調光(guāng)測量(liáng) * |
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光譜(pǔ)儀(yí)測量 * |
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擴(kuò)展測量 | 盤(pán)環(huán)電測試 * |
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數字(zì)記(jì)錄(lù)儀(yí) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
波(bō)形發(fā)生(shēng)器(qì) |
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圓(yuán)盤電機控製 |
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注(zhù)： * 氫擴散(sàn)及(jí)旋轉(zhuǎn)盤(pán)環(huán)電(diàn)測試(shì)需配置(zhì)DP-CS1001A恒源或采(cǎi)用(yòng)DP-CS2350雙(shuāng)恒電位(wèi)儀。
* 光(guāng)電(diàn)測(cè)量(liáng)能(néng)用戶選配。
* 產品(pǐn)3年質保。
儀器配置(zhì)：
1）儀器主(zhǔ)機1台(tái)
2）測試(shì)與分(fēn)析軟(ruǎn)件(jiàn)1套(tào)
3）用電(diàn)解(jiě)池(chí)（含鹽橋和(hé)排氣(qì)管(guǎn)）1套(tào)
4）輔助，參(cān)比(bǐ)，作(zuò)電各(gè)1支(zhī)
5）模擬(nǐ)電解池(chí)1個
6）電源綫/USB數(shù)據綫各1條
7）電電(diàn)纜綫(xiàn)1條(tiáo)
8）電(diàn)架(jià)（選配 *）
9）屏蔽箱（選(xuǎn)配 *）
10）電(diàn)腦（選(xuǎn)配 *）
當前位(wèi)置：