導電(diàn)型(xíng)號測試儀(yí) 導(dǎo)電(diàn)型號(hào)檢測儀 型(xíng)號(hào)：KDK-STY-3
KDK-STY—3型導(dǎo)電型號測(cè)試(shì)儀是嚴格按照(zhào)標(biāo)GB/T1550-1997和ASTM F42（非(fēi)本征(zhēng)半導體村料導電類型的(dí)標準測(cè)試(shì)方法(fǎ)）中(zhōng)的熱(rè)探(tàn)針及整(zhěng)導電類(lèi)型測試方法(fǎ)的(dí)導(dǎo)電(diàn)類型鑒別(bié)儀(yí)。
本(běn)儀器熱(rè)探筆(bǐ)內裝(zhuāng)有(yǒu)加熱和控溫組(zǔ)件(jiàn)，自動加熱並使溫度維持在(zài)50?60℃範圍(wéi)內，冷熱探筆在半導(dǎo)體材料上產生的(dí)熱(rè)電(diàn)動勢(shì)及整法(fǎ)產生(shēng)的(dí)電勢(shì)差經(jīng)低(dī)噪(zào)聲，低漂移的(dí)集成(chéng)運算放大器放大後(hòu)，用液(yè)晶顯示器件（LCD）及(jí)檢計示(shì)型(xíng)號方(fāng)向。儀(yí)器(qì)靈(líng)敏(mǐn)度(dù)分，低兩檔，可判(pàn)別大分(fēn)非(fēi)本(běn)征(zhēng)半導(dǎo)體材料型(xíng)號（從阻單晶(jīng)到重(zhòng)摻單(dān)晶）。
二(èr)，性能(néng)
1，可判(pàn)別(bié)鍺(zhě)，矽(guī)著(zhù)料的(dí)電(diàn)阻(zǔ)率(shuài)範圍(wéi)：
鍺(zhě)：非本(běn)征(zhēng)鍺(zhě)103～10?4Ω·cm
矽：10+4～10-4Ω·cm
經內(nèi)外實(shí)驗證(zhèng)明：在室溫情況下(xià)，熱(rè)電(diàn)法對於電阻率低於1000Ω·cm的(dí)矽單晶整(zhěng)法(fǎ)結果可靠。
2，鍺，矽單(dān)晶直(zhí)徑及(jí)長度：不(bù)受限(xiàn)製(zhì)
3，顯示(shì)方(fāng)式：由顯(xiǎn)示N和P的液晶(jīng)器(qì)件(jiàn)直(zhí)接示(shì)，同(tóng)時(shí)中心刻度(dù)為(wéi)零位檢計也(yě)在(zài)示型號，針(zhēn)向(xiàng)左偏轉被測樣品為N型(xíng)，針(zhēn)向右(yòu)偏轉(zhuǎn)被(bèi)測樣品為(wéi)P型。
5，探針：用(yòng)ASTM F42標準中(zhōng)建議(yì)的(dí)不鏽鋼作(zuò)冷熱(rè)探針材料(liào)，針(zhēn)尖為(wéi)60℃錐(zhuī)體(tǐ)，熱(rè)筆(bǐ)溫度(dù)自動(dòng)保持在(zài)50?60℃範(fàn)圍(wéi)內(nèi)，冷筆(bǐ)與室(shì)溫相(xiāng)同。整法(fǎ)行(háng)選用硬質合金(jīn)作(zuò)探針(zhēn)。
6，電源及耗：AC 220V±10%，50HZ交供(gōng)電，zui大耗（熱筆加熱狀態）小於(yú)40W，平均耗≈10W。
7，外型尺寸：370×320×110（mm）
8，重量：約(yuē) 4 kg
當前(qián)位(wèi)置：