本儀器熱探(tàn)筆(bǐ)內裝有(yǒu)加熱和控溫組件(jiàn)，自(zì)動加熱(rè)並(bìng)使(shǐ)溫(wēn)度維持(chí)在50‑60℃範圍內，冷熱探(tàn)筆在(zài)半導體材(cái)料上(shàng)產(chǎn)生(shēng)的熱電(diàn)動(dòng)勢及整法產(chǎn)生的電(diàn)勢差(chà)經低噪聲，低漂(piāo)移的集成運算(suàn)放大(dà)器(qì)放大後，用(yòng)液晶顯(xiǎn)示(shì)器(qì)件（LCD）及檢(jiǎn)計示(shì)型(xíng)號(hào)方向。儀(yí)器靈(líng)敏(mǐn)度分(fēn)，低(dī)兩檔，可判別(bié)大分(fēn)非本征(zhēng)半(bàn)導體材(cái)料型(xíng)號（從(cóng)阻(zǔ)單晶到(dào)重摻單晶）。

二(èr)，性能

1，可判別鍺，矽著(zhù)料的電阻(zǔ)率範圍：

鍺：非本(běn)征鍺(zhě)10³～10^‑4Ω·cm

矽(guī)：10⁺⁴～10^-4Ω·cm

經內(nèi)外實(shí)驗(yàn)證明(míng)：在室(shì)溫情況下(xià)，熱電法(fǎ)對(duì)於(yú)電阻率低於1000Ω·cm的矽(guī)單晶整(zhěng)法(fǎ)結果(guǒ)可(kě)靠(kào)。

2，鍺(zhě)，矽(guī)單(dān)晶直徑及長度(dù)：不(bù)受限製

3，顯(xiǎn)示(shì)方(fāng)式(shì)：由(yóu)顯(xiǎn)示N和P的液晶器(qì)件直(zhí)接(jiē)示，同時中心(xīn)刻度為零位(wèi)檢計也在示(shì)型號(hào)，針向左偏(piān)轉被(bèi)測樣(yàng)品(pǐn)為N型，針向右偏(piān)轉被測樣品為P型。

5，探針：用ASTM F42標準(zhǔn)中(zhōng)建議(yì)的不(bù)鏽(xiù)鋼作冷熱(rè)探針(zhēn)材(cái)料(liào)，針(zhēn)尖(jiān)為(wéi)60℃錐體，熱(rè)筆(bǐ)溫度自(zì)動保持(chí)在(zài)50‑60℃範(fàn)圍內(nèi)，冷筆與(yǔ)室溫(wēn)相同。整法行選(xuǎn)用硬(yìng)質合(hé)金作探針。

6，電源(yuán)及耗：AC 220V±10%，50HZ交供(gōng)電，zui大耗（熱(rè)筆(bǐ)加熱狀(zhuàng)態(tài)）小(xiǎo)於40W，平均(jūn)耗≈10W。

7，外型(xíng)尺寸：370×320×110（mm）

8，重量(liáng)：約 4 kg