原理(lǐ)
CV法利用PN結或肖(xiāo)基(jī)勢(shì)壘在(zài)反向偏壓時的電容性，可以(yǐ)獲得(dé)材(cái)料(liào)中雜質濃度(dù)及其分(fēn)布(bù)的信息(xī)，這類(lèi)測(cè)量成為(wéi)C-V測量(liáng)。這(zhè)種測量可以提(tí)供材(cái)料橫截(jié)麵(miàn)均匀性及縱向(xiàng)雜質濃度的分布信息(xī)。
組成(chéng)半導體器件的基本結構(gòu)的(dí)PN結(jié)具有電容效應（勢壘電(diàn)容），加正(zhèng)向偏壓時(shí)，PN結勢(shì)壘區(qū)變(biàn)窄，勢壘電容變大
；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢壘(lěi)區變寬，勢壘(lěi)電容(róng)變小。
該儀(yí)器采(cǎi)用(yòng)電(diàn)電壓測(cè)量方法(fǎ)，它(tā)用微處(chǔ)理(lǐ)器(qì)通過8 次電壓(yā)測(cè)量(liáng)來計算每(měi)次(cì)測量(liáng)後要(yào)求的參數值。用個(gè)相敏(mǐn)檢波(bō)器(qì)和模數(shù)轉(zhuǎn)換器順(shùn)序快(kuài)速成(chéng)電壓測量。正交測量通(tōng)過(guò)交換測(cè)量信號的(dí)相位來行(háng)，而不(bù)是參考相位檢測。因(yīn)而不(bù)需要(yào)的(dí)模擬相位(wèi)轉換(huàn)成電(diàn)壓矩形波電路。通過(guò)從同個頻信號源(yuán)形成測試(shì)信號和參考信號，來保(bǎo)證正確的(dí)相位(wèi)關係。由微(wēi)處理器根(gēn)據已(yǐ)知的頻率(shuài)和測(cè)試(shì)信(xìn)號相(xiāng)位，用(yòng)ROM 存(cún)儲(chǔ)器內的程(chéng)序和(hé)所(suǒ)存(cún)儲的按鍵選(xuǎn)擇來(lái)控製測量順(shùn)序(xù)，以(yǐ)及存(cún)儲在RAM 中的校準(zhǔn)數據來(lái)計(jì)算被(bèi)測(cè)元件數值。

3. HAD-CV300參數(shù)
3.1. 測(cè)試信號頻率：1.000MHz±0.01%
3.2. 測(cè)試信(xìn)號電(diàn)壓：≤100mVrms
3.3. 測量(liáng)速(sù)率(shuài)：慢3次(cì)/秒，快(kuài)5次(cì)/秒(miǎo)
3.4. 測(cè)量(liáng)範(fàn)圍：
電(diàn)容(róng)C：0.001-10000 pF
漏(lòu)電：0.01-19.99μA
3.5. 直(zhí)偏(piān)壓：儀器自(zì)帶偏壓0.01-35V，分(fēn)辨率(shuài)：0.01V
；（可(kě)外接偏壓(yā)源拓展，zui大偏(piān)壓輸入(rù)為100V）
3.6. 作誤(wù)差(chà)：±5.0%±2字(zì)
3.7. 預(yù)熱時(shí)間：30min
3.8. 供電電源(yuán)：
交電(diàn)壓：220V±10%，頻(pín)率(shuài)：50Hz±5%，消(xiāo)耗(hào)率：≤40W
3.9. 作環境(jìng)
        溫(wēn)度(dù)：0-40℃， 濕度(dù)：≤65%