電(diàn)電(diàn)化(huà)學(xué)作(zuò)站 型(xíng)號(hào)；HAD-CS1350
CS係(xì)列電化學作(zuò)站由(yóu)速MCU，度FET集(jí)成(chéng)電路組(zǔ)成，內(nèi)置DDS數字信號合(hé)成器，率(shuài)恒(héng)電位(wèi)/恒電儀，雙(shuāng)通(tōng)道相(xiāng)關分析器和雙通道(dào)速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換(huàn)器。能(néng)成綫性掃(sǎo)描伏安(ān)（LSV），循(xún)環伏安(ān)（CV），階梯波循(xún)環伏安（SCV），方波循環伏安（SWV），差(chà)分脈衝(chōng)伏安(ān)（DPV）和(hé)常規脈衝(chōng)伏安（NPV）以及(jí)差(chà)分(fēn)常(cháng)規脈(mài)衝伏(fú)安（DNPV）等(děng)電(diàn)分(fēn)析方(fāng)法；還可(kě)以成恒(héng)電（位）化(huà)，動電(diàn)位（）掃描，意(yì)恒(héng)電（位）方波(bō)，多恒(héng)電（位）階躍，零(líng)電(diàn)阻電計，電化學(xué)噪(zào)聲(shēng)（電(diàn)偶電），電(diàn)化學(xué)阻抗（EIS）等電(diàn)化學測(cè)試等能，所有測(cè)量能均可定時自(zì)動行(háng)，用於無(wú)人值(zhí)守(shǒu)下的自動測(cè)量(liáng)。
CS係列包括(kuò)多(duō)種(zhǒng)型號，可用於較大(dà)電(diàn)和(hé)較槽壓的(dí)電化學測(cè)量(liáng)和應(yīng)用，例(lì)如(rú)電(diàn)池，電(diàn)分析，腐蝕，電解，電(diàn)鍍等(děng)。儀器的(dí)電輸出範(fàn)圍(wéi)為(wéi)±，槽(cáo)壓(yā)為±21V。電壓控製(zhì)範(fàn)圍：±10V；電控製範(fàn)圍：±5.0A；電(diàn)測量下限為10pA。
CorrTestTM 測試軟(ruǎn)件(jiàn)是CS電化學作(zuò)站(zhàn)的控製平台，軟(ruǎn)件基(jī)於Windows98/ 2000/XP/Vista/Windows7操作(zuò)係統(tǒng)，並(bìng)遵守Windows軟(ruǎn)件(jiàn)規則，易於安裝和(hé)使用(yòng)。軟(ruǎn)件包(bāo)括文件管理，實驗(yàn)方(fāng)法管理，多(duō)坐標(biāo)圖(tú)形顯示和縮(suō)放，數據/圖(tú)形(xíng)的存(cún)貯/打印以及(jí)交互(hù)式幫(bāng)助等(děng)。軟件(jiàn)具(jù)有(yǒu)良(liáng)好的(dí)用(yòng)戶(hù)界麵，命令(líng)窗(chuāng)口所用的詞(cí)匯(huì)與通(tōng)用的電化(huà)學(xué)術(shù)語保(bǎo)持(chí)致(zhì)，中(zhōng)文菜單和界(jiè)麵，方便(biàn)用戶的教(jiào)學和科研作。
CorrTestTM 測(cè)試軟(ruǎn)件還具(jù)有(yǒu)別(bié)針(zhēn)對材料(liào)和(hé)腐蝕電化(huà)學的(dí)實驗方法，包括(kuò)鈍化(huà)曲(qū)綫自動或人反(fǎn)掃，電(diàn)化(huà)學(xué)再(zài)活(huó)化法(fǎ)，溶(róng)液電阻(zǔ)（IR降(jiàng)）測量和補償法(fǎ)。CorrtestTM 分析(xī)軟件則具有善的(dí)數據分析能，可對伏(fú)安曲(qū)綫行數字(zì)平(píng)滑，積分(fēn)，微分(fēn)運(yùn)算，能對化曲綫(xiàn)行電(diàn)化學參數解析(xī)，包括(kuò)化(huà)電阻Rp，Tafel斜率ba，bc，腐(fǔ)蝕電(diàn)密度icorr，腐(fǔ)蝕(shí)速率(shuài)計(jì)算等，還(huán)可計算(suàn)噪聲電阻(zǔ)Rn和(hé)率譜，並(bìng)可(kě)將(jiāng)圖形以(yǐ)矢量方(fāng)式(shì)拷貝到Microsoft Word 文檔中。
CS係列(liè)電化學(xué)作(zuò)站采(cǎi)用(yòng)USB2.0接口與計算(suàn)機通訊(xùn)，設備安裝簡單，即(jí)插即用。
外(wài)形(xíng)尺寸：36.5cm(寬)*30.5cm(深)*16cm() 儀器(qì)重量：6.5Kg
應(yīng)用域(yù)
1) 研(yán)究電(diàn)化學機(jī)理；物(wù)質的定性定量分(fēn)析(xī)；
2) 常(cháng)規(guī)電化學(xué)測(cè)試，包括電合成，電沉積(jī)(電(diàn)鍍(dù))性能(néng)評(píng)價(jià)；
3) 能和能(néng)源材(cái)料(電池，電容器，納米(mǐ)材料，生(shēng)物傳感器(qì)等(děng))的機理和(hé)製(zhì)備(bèi)研究；
4) 緩(huǎn)蝕(shí)劑(jì)，水(shuǐ)質(zhì)穩定劑(jì)，塗(tú)層以(yǐ)及(jí)陰保護(hù)效率(shuài)快(kuài)速評價以及(jí)氫滲測試等；
5) 金屬材料在(zài)導電(diàn)性(xìng)介質(zhì)(包(bāo)括(kuò)水/混(hùn)凝(níng)土/土壤(rǎng)等環境)中的腐(fǔ)蝕(shí)電(diàn)化學測(cè)試(shì)。
儀器(qì)配(pèi)置
1) 儀器(qì)主(zhǔ)機1台 2) CorrTest測試與分析軟件(jiàn)1套(tào)
3) 用(yòng)電解池(含鹽橋和排氣管(guǎn))1套(tào) 4) 鉑金電，參(cān)比電(diàn)，作(zuò)電各(gè)1支
5) 模(mó)擬電(diàn)解(jiě)池1個(gè) 6) 電源綫/USB數據綫各1條(tiáo)
7) 電電(diàn)纜(lǎn)綫(xiàn)1根 8) 電(diàn)架(jià) (選(xuǎn)配*)
9) 屏(píng)蔽(bì)箱 (選(xuǎn)配*)
標與能方(fāng)
硬件(jiàn)參數標
恒(héng)電(diàn)位(wèi)電位控製範圍(wéi)：±10V | 恒(héng)電控製範(fàn)圍(wéi)：±5.0A |
電位(wèi)控(kòng)製(zhì)度：0.1%×滿量程(chéng)讀數±1mV | 電(diàn)控製度：0.1%×滿量程(chéng)讀數(shù) |
電(diàn)位(wèi)靈敏度：10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz) | 電靈(líng)敏(mǐn)度：<10pA |
電位上升(shēng)時間(jiān)：<1mS(<10mA), | 電(diàn)量程：2A～200nA, 共(gòng)8檔(dàng) |
參(cān)比(bǐ)電(diàn)輸(shū)入(rù)阻(zǔ)抗(kàng)：1012 W||20pF | zui大輸(shū)出(chū)電：5.0A |
槽(cáo)壓：±15V | 電掃描增(zēng)量：1mA @1A/mS |
CV 和LSV掃(sǎo)描速(sù)度(dù)：0.01mV～10000V/s | 電位(wèi)掃描(miáo)時(shí)電位(wèi)增量(liáng)：0.1mV @1V/mS |
CA和CC脈衝寬(kuān)度：0.0001～65000s | DPV和NPV脈衝(chōng)寬度(dù)：0.0001～1000s |
SWV頻率：0.001～100KHz | CV的zui小電位(wèi)增(zēng)量(liáng)：0.075mV |
AD數據(jù)采集(jí)：16bit@1MHz，20bit@1kHz， | 電與(yǔ)電(diàn)位(wèi)量(liáng)程：自(zì)動設(shè)置 |
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間(jiān)：1mS | 低通濾波器(qì) ：8段(duàn)可編程 |
接口通訊模式：USB2.0 |
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電化學阻抗(kàng)測(cè)量標
信號發生(shēng)器(qì) |
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頻率響應(yīng)：10mHz～115KHz(CS1310/CS1350) | 交信號(hào)幅值：0mV～2500mV |
直(zhí)偏壓：-10～+10V | DDS輸(shū)出阻抗(kàng)：50W |
波形：正(zhèng)弦波，三角波，方波(bō) | 正弦波失真(zhēn)：<1% |
掃(sǎo)描方(fāng)式(shì)：對(duì)數/綫性，增(zēng)加/下降 | zui大負(fù)載電容(róng)：1nF；zui大負(fù)載電感：10mH |
信號分析(xī)器 |
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積(jī)分(fēn)時間：zui大值：106個(gè)循(xún)環或者(zhě)105S | 測量時間(jiān)延遲(chí)：0～105秒(miǎo) |
zui小(xiǎo)值(zhí)：10mS 或(huò)者(zhě)個(gè)循(xún)環的zui長時間(jiān) |
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直(zhí)偏置補償(cháng) |
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電(diàn)位自動補償範圍(wéi)：-10V～+10V | 電(diàn)補(bǔ)償範(fàn)圍：-1A～+1A |
帶(dài)寬調(tiáo)整(zhěng)：自動或手(shǒu)動(dòng)設置, 共8可調 |
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CS係(xì)列(liè)儀(yí)器(qì)不同(tóng)型號能
能 方 法(fǎ) | CS1120 | CS1150 | CS1300 | CS1310 | CS1350 | CS1360 | |
穩
| 開路(lù)電位(wèi)測量（OCP） | • | • | • | • | • | • |
恒電位化 | • | • | • | • | • | • | |
恒(héng)電(diàn)化 |
| • | • | • | • | • | |
動(dòng)電位掃描（DPP） | • | • | • | • | • | • | |
動電(diàn)掃描（DGP） |
| • | • | • | • | • | |
暫(zàn)
| 意恒電位方波 | • | • | • | • | • | • |
意(yì)恒電方波(bō) |
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多(duō)電(diàn)位階(jiē)躍（VSTEP） | • | • | • | • | • | • | |
多(duō)電(diàn)階(jiē)躍(yuè)（ISTEP） |
| • | • | • | • | • | |
快速(sù)電(diàn)位脈(mài)衝 |
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快速(sù)電脈衝 |
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計(jì) | 計時電(diàn)位法（CP） |
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計(jì)時(shí)電法（CA） |
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計時電(diàn)量法(fǎ)（CC） |
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伏 | 綫性掃(sǎo)描伏安法(fǎ)（LSV） | • | • | • | • | • | • |
循(xún)環伏安法(fǎ)（CV） | • | • | • | • | • | • | |
階梯(tī)伏安(ān)法（SCV） |
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差(chà)分脈(mài)衝伏(fú)安法（DPV） |
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常(cháng)規脈衝伏安法（NPV） |
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方(fāng)波(bō)伏安法（SWV） |
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交伏安法（ACV） |
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常規差分(fēn)脈衝伏(fú)安法(fǎ)（DNPV） |
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二次諧(xié)波交伏(fú)安(ān) (SHACV) |
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溶 | 恒電(diàn)位溶出伏安(ān) |
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綫性溶出(chū)伏安(ān) |
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階梯溶出(chū)伏安(ān) |
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方波溶出伏安 |
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交(jiāo)溶出伏安(ān) |
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交 | 電化(huà)學阻抗（EIS）～頻率(shuài)掃描 |
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電化學阻抗（EIS）～時(shí)間(jiān)掃(sǎo)描(miáo) |
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| • | • | • | |
電(diàn)化學阻抗（EIS）～電位(wèi)掃描 |
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腐(fǔ) | 循(xún)環化(huà)曲(qū)綫(xiàn)（CPP） | • | • | • | • | • | • |
綫性(xìng)化(huà)曲綫（LPR） | • | • | • | • | • | • | |
電(diàn)化學噪(zào)聲(shēng) (EN) | • | • | • | • | • | • | |
電(diàn)偶(ǒu)腐蝕測(cè)量(liáng) (ZRA) | • | • | • | • | • | • | |
氫(qīng)擴(kuò)散測(cè)試(shì)（HDT） |
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電(diàn) | 電池(chí)充(chōng)放(fàng)電測試 |
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恒(héng)電充放電(diàn) |
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恒(héng)電(diàn)間歇充放電 |
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擴 | 盤環電(diàn)測(cè)試 |
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數(shù)字(zì)記錄(lù)儀(yí) | • | • | • | • | • | • | |
波(bō)形(xíng)發(fā)生器(qì) |
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圓盤(pán)電機控製 |
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注(zhù)：* 氫滲(shèn)透測(cè)試中(zhōng)主(zhǔ)動(dòng)式充氫(qīng)需要另行配置(zhì)CS1001A恒(héng)源(yuán)使用或采(cǎi)用CS2350雙恒電(diàn)位(wèi)儀(yí)。
當前(qián)位(wèi)置(zhì)：